Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng , khoảng cách giữa hai khe , màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe . Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện t...

Câu hỏi :

Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng , khoảng cách giữa hai khe , màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe . Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?